EKV MOSFET Model

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EKV Mosfet Model はMOS電界効果トランジスタの特性を表現する 数学的モデルで、回路シミュレーションや アナログ回路 設計で利用されることを目的としたものである^[1]。 このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz （彼等３名の頭文字をとってEKVとした）らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである^[2]。 MOSFETの特性を電圧の２乗特性で表現する ２乗モデル（Quadratic Model)とは異なり、 EKV Model はMOSFETが閾値領域（例：V_bulk=V_source の条件でかつ V_gate-source < V_Thresholdの時）での動作も正確に表現できる。加えて、サブマイクロン CMOS IC 設計で取り扱う多くの特別な効果も正確に表現している。

[編集] 参考文献

1. ^ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
2. ^ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987

[編集] 参照リンク

• Transistor models
• MOSFET
• Ngspice
• SPICE

[編集] 外部リンク

• Web Page of Christian Enz [1]
• Web Page of François Krummenacher [2]
• About Eric Vittoz [3]
• Main Web Page for the EKV Model [4]