Μοντέλο EKV MOSFET

Από τη Βικιπαίδεια, την ελεύθερη εγκυκλοπαίδεια

Το μοντέλο EKV Mosfet είναι ένα μαθηματικό μοντέλο των Metal-Oxide Semiconductor τρανζίστορ πεδιακού φαινομένου (Field-Effect Transistors), το οποίο είναι σχεδιασμένο για την προσωμοίωση κυκλωμάτων και την σχεδίαση αναλογικών κυκλωμάτων ^[1]. Αναπτύχθηκε από τους C. C. Enz, F. Krummenacher, και E. A. Vittoz (εξ ου και τα αρχικά EKV) περί του 1995, βασισμένο εν μέρει σε εργασία που είχαν κάνει την δεκατία του 1980 ^[2]. Σε αντίθεση με απλούστερα μοντέλα, όπως το μοντέλο του τετραγωνικού νόμου (Quadratic Model), το μοντέλο EKV είναι ακριβές ακόμα και όταν το MOSFET λειτουργεί στην περιοχή κάτω από την τάση κατωφλίου (subthreshold region) (π.χ. όταν V_bulk=V_source τότε το MOSFET είναι στην περιοχή κάτω από την τάση κατωφλίου όταν V_gate-source < V_Threshold}. Επιπλέον, περιγράφει πολλά ειδικά φαινόμενα που εμφανίζονται σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με υπομικρομετρικές (submicron) τεχνολογίες CMOS.

[Επεξεργασία] Αναφορές

1. ↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
2. ↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987

[Επεξεργασία] Δείτε επίσης

• MOSFET
• SPICE

[Επεξεργασία] Εξωτερικοί σύνδεσμοι

• Ιστοσελίδα του Christian Enz
• Ιστοσελίδα του François Krummenacher
• Περί του Eric Vittoz
• Κεντρική σελίδα του μοντέλου EKV