Modello Mosfet EKV
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Il modello EKV per i transistor MOSFET è un modello matematico utilizzato per la simulazione ed il progetto dei circuiti integrati analogici.[1]
Il modello EKV è stato sviluppato da C. C. Enz, F. Krummenacher, ed E. A. Vittoz (dalle cui iniziali deriva il nome EKV) nel 1995 ed è basato in parte sulle ricerche da loro sviluppate negli anni 80.[2] [3] [4] A differenza dei modelli più semplici, come il modello quadratico, il modello EKV è accurato anche nella regione di funzionamento sottosoglia (subthreshold) del MOSFET, ovvero quando è verificato Vbulk=Vsource allora il MOSFET lavora in zona di sottosoglia quando Vgate-source < VThreshold.
Oltretutto, il modello EKV è un grado di simulare molti degli effetti che intervengono nel funzionamento dei circuiti integrati in tecnologia CMOS con dimensioni dei transistor inferiori al micron (submicrometrici).
[modifica] Note
- ^ Enz, C. C., Krummenacher F., Vittoz E.A. (Luglio 1995). An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114.
- ^ Enz, C. C., Krummenacher F., Vittoz E.A. (Giugno 1987). A CMOS Chopper Amplifier IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342.
- ^ Vittoz, Eric (Novembre 2004). Origins of the EKV model .
- ^ Vittoz, Eric (Settembre 2006). Swiss Origins of Very Low-Power Integrated Circuits (1962-1982) .
