HEMT

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L' HEMT (High Electron Mobility Transistor) o HFET (Heterostructure FET) è un dispositivo elettronico utilizzato nel campo delle microonde. Si tratta di un particolare tipo di transistor a effetto di campo caratterizzato da una giunzione tra due materiali (metallo-semiconduttore) con differente band gap, ovvero un'eterogiunzione. L'HEMT sfrutta la formazione di elettroni ad alta mobilità presenti nella buca di potenziale, generata dall' eterogiunzione tra GaAs e n-AlGaAs, al di sotto del livello di Fermi.

Questo strato di elettroni ad alta mobilità, formatosi al di sotto della giunzione, è detto strato 2deg(2-dimensional-electron-gas), esso costituisce il vero canale del dispositivo. La densità di elettroni nel canale 2deg dipende dalla tensione gate-source. Purtroppo però quando la regione n-AlGaAs non viene più mantenuta in completo svuotamento dalla Vgs si forma un "mesfet parassita" che riduce notevolmente le prestazioni dell' hemt, questo perché si ha un interazione elettrostatica fra gli elettroni dello strato 2deg e gli ioni di impurità superficiali dell' n-AlGaAs.

Per ottimizzare il funzionamento del transistor solitamente si inserisce un film di AlGaAs non drogato, detto spacer, tra l'n-AlGaAs e il GaAs intrinseco. Così facendo, gli elettroni ad elevata mobilità risultano più distanti dagli ioni di impurità superficiali dell'n-AlGaAs e di conseguenza si riduce considerevolmente la loro interazione elettrostatica.

Grazie alla sua particolarità l'HEMT è un transistor molto utilizzato per dispositivi che lavorano in alta frequenza.