亲核取代反应
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親核取代反應,或称亲核性取代反应,通常發生在帶有正電或部份正電荷的碳上,碳原子被帶有負電或部份負電的親核试剂(Nu:-)进攻而取代。
常分為兩種反應機構:
- 單分子親核取代反應(SN1)
- 雙分子親核取代反應(SN2)
[编辑] 單分子親核取代反應
SN1親核取代反應機理如下:
第一步是原化合物的解离生成碳正离子和离去基团,然后亲核试剂与碳正离子结合。由于速控步为第一步,只涉及一种分子,故称SN1反应。 常發生於:
- 碳上取代基较多(如:-CH3),使得相应碳正离子的能量更低,更加稳定。同时位阻效应也限制SN2机理中亲核试剂的进攻。
- 對碳陽離子生成有利條件:有許多推電子基幫助穩定碳陽離子(3級碳>2級碳>1級碳),一级碳几乎不能够单独存在,而会立刻和周遭发生化学反应而形成内能更低的分子。
SN1親核取代反應特性:
- 反應速率決定步驟在於离解一步(第一步),所以根據动力学理論推斷該反應為一級速率反應,r=K[反應物]。
- 從立體化學觀點來看,該反應的反應物若為光學異構物之一,則產物反轉機率略大於50%。在碳陽離子形成時,整個分子略呈現平面三角形,親核体可以由平面三角形上下兩側進行攻擊,形成新分子。故理論上反轉機率為50%,但因原先脫離的陰離子影響碳陽離子,故親核劑傾向由反側攻擊形成反轉的產物。
- 該反應適合在高極性稍有質子性溶劑中進行,高極性有助於利用本身極性帶有的部份負電穩定碳陽離子,稍有質子性溶劑提供質子與較強親核劑(通常是被脫離的)化合有助於反應平衡往產物移動。
[编辑] 雙分子親核取代反應
SN2親核取代反應機理如下:
較強親核劑直接由背面进攻碳原子,並形成不稳定的一碳五鍵的反应中间体,隨後离去基团离去,完成取代反應。
常發生於:
- 碳原子取代较少(如:-CH3),可較容易使SN2反應發生。
- 對碳正离子生成有不利條件的環境下:有許多拉電子基或較少推電子基(1級碳>2級碳>3級碳)。
SN2親核取代反應特性:
- 反應速率決定在兩個因素上:強親核劑的濃度高低與反應物的濃度高低,所以根據理論推斷該反應為典型的二級速率反應,r=K[反應物][Nu:-]。
- 從立體化學觀點來看,該反應反應物若為光學異構物之一,則產物构型翻转機率為100%(完全反轉),因為只能從反側攻擊,故產物必定反轉。
- 反應適合在高極性非質子性溶劑中進行,高極性有助於穩定反應中間體,非質子性溶劑則不會與強親核劑化合而導致反應平衡往反應物移動。