BJT
Bách khoa toàn thư mở Wikipedia
BJT (viết tắt từ tiếng Anh: Bipolar junction transistor), là một loại linh kiện điện tử, có 3 cực là B (base - cực nền), C (collector - cực thu), E (emitter - cực phát). Đây là một linh kiện vô cùng quan trọng và có nhiều ứng dụng trong kỹ thuật điện tử. Chúng được phát minh vào năm 1948.
Bài này còn sơ khai. Bạn có thể góp sức viết bổ sung cho bài được hoàn thiện hơn. Xem phần trợ giúp để biết thêm về cách sửa đổi bài. |