MOSFET
Z Wikipédie
MOSFET (z angl. metal oxide semiconductor field-effect transistor) je druh tranzistoru riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou kovu je oddelené od polovodiča dielektrickou vrstvou oxidu daného polovodiča.
Keďže na jeho prípravu je potrebná dokonalá a veľmi tenká oxidová vrstva s malým počtom nežiaducich porúch na rozhraní polovodiča a kovu, MOSFET tranzistory sa v praxi pripravujú výhradne z kremíka, ktorý je jediným polovodičom, na ktorom je možné pripraviť oxid požadovaných vlastností.
Podľa typu vodivosti hradla delíme MOSFET na PMOS a NMOS. Vhodnou prípravou substrátu je možné získať v oboch polaritách FET tranzistory obohacovacieho aj ochudobňovacieho typu.
Kombináciou obidvoch typov tranzistorov v integrovaných obvodoch získame štruktúru CMOS, ktorá je základom takmer všetkých moderných digitálnych integrovaných obvodov.
[upraviť] Iné projekty
 |
Tento článok z oblasti elektrotechniky je zatiaľ príliš krátky, tzv. "výhonok") a vyžaduje si doplnenie. Môžeš pomôcť Wikipédii rozšíriť ho tak, že hore klikneš na záložku "úprava" (alebo alternatívne sem) a dopíšeš alebo zmeníš text. |
