Silicon on insulator
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Silicon on insulator (SOI) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional compuesto de silicio monocristalino por otro compuesto por un sandwich de capas de silicio-aislante-silicio. Esta técnica reduce la capacidad parásita y reduce el riesgo de latch-up, mejorando las prestaciones de los circuitos integrados. El aislante empleado suele ser típicamente dióxido de silicio o, en aplicaciones en las que se busca resistencia frente a la radiación, zafiro. Fue IBM quien, en 1998, fabricó con éxito el primer chip que empleaba esta tecnología.
El uso de SOI tiene la ventaja de no requerir apenas cambios en el proceso de fabricación de los circuitos integrados más allá de utilizar obleas SOI distintas de las tradicionales. Su principal inconveniente es el coste: las obleas SOI son significativamente más caras que las ordinarias.
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