Tight-Binding
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Die Tight-Binding-Methode (TB) dient zum Berechnen der elektronischen Struktur von Festkörpern oder Molekülen. Sie ist deutlich weniger rechenintensiv als die Dichtefunktionaltheorie (DFT), da hier meist nur die Valenzelektronen berechnet werden, nur Wechselwirkungen der ersten N Nachbaratome berücksichtigt werden und Ein-Elektron-Betrachtungen durchgeführt werden. Es wird eine atomzentrierte Basis angenommen. Im Gegensatz zu k.p ist TB eine atomistische Methode und eignet sich auch für die Simulation von Bauteilen der Mikroelektronik.
Siehe auch: LCAO (linear combination of atomic orbitals)
[Bearbeiten] Referenzen
- John C. Slater and G.F. Koster, Phys. Rev. 94, 1498 (1954).
- C.M. Goringe, D.R. Bowler and E. Hernández, Rep. Prog. Phys. 60, 1447 (1997).
- N. W. Ashcroft and N. D. Mermin, Solid State Physics (Thomson Learning, Toronto, 1976).
