Heteroübergang
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Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet. Anders als bei einem p-n-Übergang ist hier nicht die Dotierungsart, sondern die Materialart verschieden. Die Halbleiter besitzen deshalb i. A. eine unterschiedliche Energie der Bandlücke.
Heteroübergänge finden sich bei III-V-Halbleitern oder bei II-VI-Halbleitern.
[Bearbeiten] Berechnung
Bei einem p-n-Heteroübergang stellt sich eine Unregelmäßigkeit in den Energiebändern der Materialien ein. Die Länge X dieser Unregelmäßigkeit, eine Verbiegung der Bandkanten, lässt sich über die Poissongleichung berechnen. Nimmt man den Übergang vom negativ dotierten Material 1 zum positiv dotierten Material 2 mit den relativen Dielektrizitätskonstanten und Dotierungskonzentrationen ND bzw. NA an. So stellt sich mit der Diffusionsspannung ψD bei angelegtem äußerem elektrischen Feld der Spannung U eine Bandverbiegung der folgenden Weite ein:
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