Vierschichtdiode

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Die Vierschichtdiode ist ein Silizium-Halbleiterbauteil mit vier Halbleiterzonen deren Leitfähigkeitstyp wechselt.

[Bearbeiten] Allgemeines

Neben der Bezeichnung Vierschichtdiode gibt es auch die Bezeichnungen Thyristordiode und Triggerdiode. Die beiden Anschlussklemmen der Vierschichtdiode heißen Anode und Katode. Wegen den vier Halbleiterzonen, deren Leitfähigkeitstyp wechselt, besitzt diese Diode drei pn-Übergänge. Jeder dieser drei pn-Übergänge stellt eine Diodenstrecke dar.

[Bearbeiten] Funktion

Wird an der Anode eine Spannung angelegt, so dass die Anode ein negatives Potential gegenüber der Katode besitzt, so sind Diodenstrecke D1 und D3 gesperrt und D2 befindet sich in Durchlassrichtung. Es fließt deshalb ein sehr geringer Sperrstrom.

Besitzt die Anode ein positives Signal gegenüber der Katode, so sind D1 und D3 in Durchlassrichtung geschaltet und D2 befindet sich in einem bestimmten Spannungsbereich in Sperrrichtung. Wird die Spannung vergrößert so wird die Vierschichtdiode plötzlich niederohmig und damit leitend. Der Widerstand sinkt dabei von einigen Megaohm auf wenige Ohm.

[Bearbeiten] Verwendung

Vierschichtdioden werden als Schalterbauteile verwendet, überwiegend zum Ansteuern von Thyristoren. Vierschichtdioden werden nur für kleine Leistungen verwendet, für größere Leistungen verwendet man gesteuerte Thyristoren.