Epitaksja z wiązek molekularnych
Z Wikipedii
Epitaksja z wiązek molekularnych (ang. Molecular Beam Epitaxy (MBE)) - proces osadzania cienkich warstw półprzewodnikowych z wiązek molekularnych (lub atomowych) w ultrawysokiej próżni (p ≤10 -7 Pa). Metoda została opracowana pod koniec lat 60 ubiegłego wieku w Bell Telephone Laboratories przez J.R. Arthura i Alfreda Y. Cho. Obecnie MBE jest jedną z najszerzej stosowanych technologii wzrostu cienkich monowarstw metali, izolatorów i nadprzewodników, zrówna w badaniach jak i w produkcji na skalę przemysłową.
[edytuj] Literatura
- H. Ibach, H. Lüth Fizyka Ciała Stałego. Wydawnictwo Naukowe PWN , Warszawa 1996, ISBN 83-01-12039-8
