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Transistor Darlington - Wikipédia

Transistor Darlington

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Le transistor darlington est la combinaison de deux transistors bipolaires de même type (tous deux NPN ou tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des caractéristiques de transistor. Ces deux transistors sont souvent intégrés dans un même boîtier. Le gain en courant du darlington est égal au produit des gains de chaque transistor. Le montage est le suivant : les collecteurs sont communs et correspondent au collecteur du darlington. L'émetteur du transistor de commande est relié à la base du transistor de sortie. La base du transistor de commande et l'émetteur du transistor de sortie correspondent respectivement à la base et à l'émetteur du darlington.

Diagrame d'un transistor darlington
Diagrame d'un transistor darlington

[modifier] Avantages

  • Grand gain : Le gain du premier transistor multiplié par le gain du deuxième (1000 à 20000).

[modifier] Inconvénients

  • Le seuil de conduction VBE à partir duquel le darlington commence à conduire est doublé par rapport à un transistor simple, le courant de commande traverse la jonction base/émetteur du premier transistor puis la jonction base/émetteur du deuxième, donc le VBE du darlington est l'addition des deux VBE.
  • La chute de tension VCEsat du darlington (typiquement 1,5V) est supérieure à celle d'un transistor bipolaire simple (typiquement 0,5V), ce qui augmente sensiblement les pertes par effet joule, en particulier dans les applications de puissance.

[modifier] Remarques

  • Ne pas confondre ce montage avec le montage cascode.
  • Il existe une autre combinaison associant un transistor NPN et un PNP qui multiplie aussi le gain appelée paire de Sziklai.
  • Le Darlington est de plus en plus supplanté par le transistor à effet de champ, y compris en électronique de puissance. Celui-ci bénéficie d'un courant de grille quasi nul (d'où un gain en courant en principe infini !) ainsi que d'une chute de tension VDSsat=RDSon*ID en général inférieure à celle du Darlington.



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